RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
69
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.5
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
41
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
16.3
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
3146
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB Сравнения RAM
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link