RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
69
Около -138% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.2
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
17.2
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
3461
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link