RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
69
Около -103% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.8
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
15.0
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
2516
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link