RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
69
Около -130% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.3
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
17.0
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
3428
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link