RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
69
Около -116% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.7
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
16.3
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
2999
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link