RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
69
Около -283% меньшая задержка
Выше скорость записи
17.0
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
18
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
20.9
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
17.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
3668
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 9905402-414.A00LF 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link