Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Kingston 9905630-051.A00G 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Средняя оценка

Kingston 9905630-051.A00G 16GB

Kingston 9905630-051.A00G 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 15.6

Среднее значение в тестах

Kingston 9905630-051.A00G 16GB

Причины выбрать
Kingston 9905630-051.A00G 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 69

Около -146% меньшая задержка
Выше скорость записи

11.8 1,441.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 5300

Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Kingston 9905630-051.A00G 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

69 28
Скорость чтения, Гб/сек

3,325.1 15.6
Скорость записи, Гб/сек

1,441.2 11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 19200

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

525 2704

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Kingston 9905599-026.A00G 8GB

Kingston 9905599-026.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Kingston 9905630-051.A00G 16GB

Kingston 9905630-051.A00G 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB

Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB

G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB

модули RAM

Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB

Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB

Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB

Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Kingston KH280C14D4/8X 8GB

Kingston KH280C14D4/8X 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Kingston 99U5700-010.A00G 8GB

Kingston 99U5700-010.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB

модули RAM