RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
69
Около -130% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.8
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
3575
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5403-003.A00LF 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link