RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
69
Около -200% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.9
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
16.6
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
2848
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link