RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Kingston XRMWRN-HYA 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
69
Около -109% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.0
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
33
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
15.9
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
2962
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link