RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kllisre 0000 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Kllisre 0000 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Kllisre 0000 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
10.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kllisre 0000 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
69
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.9
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kllisre 0000 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
49
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
10.9
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
2220
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Kllisre 0000 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link