RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
69
Около -214% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.5
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
22
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
18.1
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
3256
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link