RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
69
Около -109% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.7
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
33
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
16.5
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
3122
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link