RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
69
Около -188% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.3
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
15.0
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
2370
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link