RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB против Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
10.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
64
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.9
1,869.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
32
Скорость чтения, Гб/сек
4,477.7
10.5
Скорость записи, Гб/сек
1,869.1
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
697
2386
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link