Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB против Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB

Средняя оценка

Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB

Причины выбрать
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 14

Среднее значение в тестах

Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

Причины выбрать
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

38 64

Около -68% меньшая задержка
Выше скорость записи

10.4 1,869.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

64 38
Скорость чтения, Гб/сек

4,477.7 14.0
Скорость записи, Гб/сек

1,869.1 10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

697 2055

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

модули RAM

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB

SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB

Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB

модули RAM

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N

модули RAM

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Kingston 9905678-012.A00G 8GB

Kingston 9905678-012.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Kingston X74R9W-MIE 8GB

Kingston X74R9W-MIE 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB

Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB

Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB

Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB

модули RAM

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB

модули RAM