Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung 9905428-095.D00LF 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB против Samsung 9905428-095.D00LF 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung 9905428-095.D00LF 8GB

Samsung 9905428-095.D00LF 8GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    15.3 left arrow 8.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    10.9 left arrow 5.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 12800
    Около 2% выше полоса пропускания
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    41 left arrow 50
    Около -22% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung 9905428-095.D00LF 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    50 left arrow 41
  • Скорость чтения, Гб/сек
    15.3 left arrow 8.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    10.9 left arrow 5.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    25600 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2512 left arrow 1415
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения