RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Сравнить
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB против AMD R748G2133U2S 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Средняя оценка
AMD R748G2133U2S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
AMD R748G2133U2S 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
38
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
9.3
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.9
Скорость записи, Гб/сек
9.3
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
17000
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2298
2852
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
AMD R748G2133U2S 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link