RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Сравнить
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB против Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
55
Около 40% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
11.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
55
Скорость чтения, Гб/сек
15.8
16.4
Скорость записи, Гб/сек
11.9
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2824
2612
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link