RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Сравнить
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB против Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
42
Около 21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
15.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
9.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
42
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
15.2
Скорость записи, Гб/сек
13.0
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2987
2597
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link