RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Сравнить
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB против Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
56
Около 18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.4
12.4
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
56
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.8
Скорость записи, Гб/сек
12.4
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2660
2597
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link