Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB против Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Средняя оценка

Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB

Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Причины выбрать
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

46 57

Около 19% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16 15.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.4 10.3

Среднее значение в тестах

Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB

Причины выбрать
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB

Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 57
Скорость чтения, Гб/сек

16.0 15.1
Скорость записи, Гб/сек

12.4 10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

25600 25600

Other

Описание

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2660 2276

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Kingston 9905701-141.A00G 16GB

Kingston 9905701-141.A00G 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB

Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB

модули RAM

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kingston 9905701-010.A00G 16GB

Kingston 9905701-010.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB

Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB

King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB

Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB

модули RAM

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB

Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB

Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB

модули RAM

Kingston KF3200C20S4/16G 16GB

Kingston KF3200C20S4/16G 16GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB

Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB

A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB

модули RAM