Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB против Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Средняя оценка

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Причины выбрать
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16 14.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.4 10.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 19200

Около 1.33% выше полоса пропускания

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

Причины выбрать
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 46

Около -84% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 25
Скорость чтения, Гб/сек

16.0 14.3
Скорость записи, Гб/сек

12.4 10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

25600 19200

Other

Описание

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2660 2583

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB

Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB

Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

модули RAM

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB

модули RAM

Kingston KHX16LC9/8GX 8GB

Kingston KHX16LC9/8GX 8GB

Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB

Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Kingston 9932291-002.A00G 4GB

Kingston 9932291-002.A00G 4GB

модули RAM

Kingston 9905474-019.A00LF 2GB

Kingston 9905474-019.A00LF 2GB

Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB

Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB

модули RAM

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB

A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB

модули RAM

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB

Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB

модули RAM