RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Сравнить
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB против PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Средняя оценка
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
10.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
46
Около -12% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
41
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.7
Скорость записи, Гб/сек
12.4
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2660
2621
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9N1 16GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Corsair CMD8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link