RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Сравнить
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB против Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.9
13
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
7.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
46
Около -24% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
37
Скорость чтения, Гб/сек
15.9
13.0
Скорость записи, Гб/сек
12.8
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2936
2512
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link