RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Сравнить
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB против SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
37
Около 5% меньшая задержка
Причины выбрать
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
15.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
10.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
37
Скорость чтения, Гб/сек
15.2
15.3
Скорость записи, Гб/сек
10.7
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2773
2973
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link