RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Сравнить
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB против Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
48
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.5
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
15.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
48
Скорость чтения, Гб/сек
15.8
16.8
Скорость записи, Гб/сек
13.5
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3075
2852
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB Сравнения RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link