RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Сравнить
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB против Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.6
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
14.9
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
24
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
15.5
Скорость записи, Гб/сек
10.6
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2196
2654
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link