RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Сравнить
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB против A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
106
Около 58% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.1
5.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.1
11.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
106
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
13.1
Скорость записи, Гб/сек
8.1
5.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2077
1252
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link