RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Сравнить
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
45
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
32
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
17.4
Скорость записи, Гб/сек
8.1
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2077
3137
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link