RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Сравнить
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
45
Около -137% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
19
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
16.4
Скорость записи, Гб/сек
8.1
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2077
3521
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link