RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Сравнить
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB против Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
45
Около -61% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
28
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
17.4
Скорость записи, Гб/сек
8.1
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2077
3437
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link