RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Сравнить
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB против G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
45
Около -96% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
23
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
17.2
Скорость записи, Гб/сек
8.1
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2077
3116
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5471-001.A00LF 2GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link