RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Сравнить
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB против G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
45
Около -45% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
31
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
16.9
Скорость записи, Гб/сек
8.1
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2077
3300
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link