RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Сравнить
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
45
Около -105% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
22
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
18.5
Скорость записи, Гб/сек
8.1
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2077
3392
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link