Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Причины выбрать
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

32 45

Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения

19.4 11.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.6 8.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

45 32
Скорость чтения, Гб/сек

11.9 19.4
Скорость записи, Гб/сек

8.1 13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2077 3364

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB

Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB

Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Kingston 9905625-075.A00G 16GB

Kingston 9905625-075.A00G 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB

Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB

Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB

модули RAM

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB

модули RAM

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB

Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Kingston 99U5663-003.A00G 16GB

Kingston 99U5663-003.A00G 16GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

V-GEN D4H16GS24A8 16GB

V-GEN D4H16GS24A8 16GB

модули RAM