RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Сравнить
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB против G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
45
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
32
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
15.7
Скорость записи, Гб/сек
8.1
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2077
3098
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link