RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Сравнить
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
45
Около -73% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
26
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
18.1
Скорость записи, Гб/сек
8.1
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2077
3061
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link