RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Сравнить
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB против Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Средняя оценка
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
45
Около -55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
29
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
16.4
Скорость записи, Гб/сек
8.1
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2077
3264
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R538G1601U2S 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link