RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Сравнить
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
45
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
34
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
15.6
Скорость записи, Гб/сек
8.1
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2077
2468
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link