RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Сравнить
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB против Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Средняя оценка
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
45
Около -105% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
22
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
17.0
Скорость записи, Гб/сек
8.1
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2077
3112
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link