RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Сравнить
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
45
Около -36% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
33
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
16.5
Скорость записи, Гб/сек
8.1
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2077
3122
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link