RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Сравнить
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB против Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
46
Около -84% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
12.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
7.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.2
16.2
Скорость записи, Гб/сек
7.9
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2072
2847
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
INTENSO 5641160 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link