RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Сравнить
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB против Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
47
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.3
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
28
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
18.3
Скорость записи, Гб/сек
8.0
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2061
3736
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link