RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Сравнить
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB против Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
47
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
28
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
16.4
Скорость записи, Гб/сек
8.0
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2061
3036
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
A-DATA Technology DDR3 2133X 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link