RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Сравнить
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB против Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
47
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
36
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
14.0
Скорость записи, Гб/сек
8.0
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2061
2416
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link