RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Сравнить
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB против Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
47
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
36
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
14.0
Скорость записи, Гб/сек
8.0
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2061
2416
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link