RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Сравнить
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB против G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
47
Около -135% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.1
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
20
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
19.1
Скорость записи, Гб/сек
8.0
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2061
3506
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link