RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Сравнить
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB против Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
47
50
Около 6% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.0
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.4
11.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
50
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
13.4
Скорость записи, Гб/сек
8.0
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2061
1976
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link