RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Сравнить
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
11.8
11.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.0
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
47
Около -47% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
32
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
11.3
Скорость записи, Гб/сек
8.0
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2061
2292
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link