RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Сравнить
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB против Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
47
Около -74% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.1
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.5
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
27
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
14.1
Скорость записи, Гб/сек
8.0
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2061
2436
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link